RIBER reçoit une commande pour un système MBE 49 GaN en Europe

Bezons (France), le 21 octobre 2024 – 8h00 – RIBER, leader mondial des équipements d’épitaxie par jets moléculaires (MBE) pour l’industrie des semi-conducteurs, annonce la commande d’un système de production MBE 49 GaN par un industriel européen.

Ce client européen a investi dans le système MBE 49 afin d’améliorer sa capacité de production de composants avancés en nitrure de gallium (GaN), qui sont essentiels pour la prochaine génération d’écrans à haute luminosité et à faible consommation énergétique. Le système MBE 49 GaN est spécialement configuré pour l’épitaxie de GaN assistée par plasma sur des substrats de silicium de 200 mm, offrant ainsi une solution de pointe pour la production de dispositifs AlGaN et InGaN.

La technologie MBE de RIBER se distingue par sa capacité à opérer à des températures de croissance plus basses pour l’InGaN à haute teneur en indium, assurant un contrôle précis de la formation des nanofils, un faible niveau de dopage résiduel et des capacités de dopage de type p améliorées – des facteurs clés pour optimiser les performances technologiques.

Le système MBE 49 de RIBER est entièrement automatisé et fonctionne avec le logiciel avancé de contrôle des processus Crystal XE. Il intègre des outils d’instrumentation in situ qui permettent une surveillance et un contrôle précis, garantissant des processus de croissance épitaxiale de haute qualité. Cette technologie est entièrement compatible avec les substrats de silicium de 200 mm.

Cette commande souligne le rôle essentiel de la collaboration européenne pour faire progresser l’industrie des semi-conducteurs et renforcer la position de l’Europe comme centre d’innovation en micro et nanoélectronique.

Cette commande sera livrée en 2025.

Publié le lundi 21 octobre 2024 à 08h00