Nouvelle commande d’un système de production MBE 49 GaN en Asie

Bezons (France), le 25 juin 2024 – 8h00 – RIBER, leader mondial des équipements d’épitaxie par jets moléculaires (MBE) pour l’industrie des semi-conducteurs, annonce la vente d’un système de production MBE 49 GaN en Asie.

Un client industriel asiatique vient de commander une machine MBE 49 pour renforcer sa capacité de production de composants optoélectroniques avancés en nitrure de gallium (GaN), destinés à des applications grand public telles que les chargeurs rapides, les chargeurs embarqués, les alimentations électriques ou les convertisseurs, ainsi que pour la recherche sur de nouvelles applications liées à l’industrie automobile.

Les dispositifs à base de GaN, caractérisés par leur vitesse de commutation élevée et leur rendement exceptionnel, suscitent un vif intérêt dans le domaine des applications de puissance, où l’industrie cherche à réduire la taille et le poids des systèmes tout en augmentant leur efficacité.

La machine MBE 49 GaN de Riber est spécialement conçue pour le processus de fabrication de GaN, offrant une configuration de pompage spécifique ainsi que des cellules d’effusion très stables, uniformes et reproductibles pour le développement de composants optoélectroniques avancés en nitrures d’éléments III.

Cette nouvelle commande témoigne de l’adoption croissante du marché pour le système MBE 49, reconnu comme l’une des plateformes de dépôt en couches minces multi-wafers les plus performantes pour le développement d’applications électroniques basées sur des semi-conducteurs composés. Les développements et améliorations techniques apportés à la plateforme MBE 49 GaN découlent du programme de collaboration entre RIBER et le CNRS CRHEA.

La livraison de cette nouvelle commande est prévue pour 2025.

Publié le mardi 25 juin 2024 à 08h00